Nova memória usa efeito piezoelétrico para gerar tensões elétricas de movimentos

Atlanta (EUA) -  A memória não volátil pode correr mais rápido computador no futuro, sem vários minutos de inicialização.Para estes MRAM chamados, muitos conceitos estão sendo testados. Uma abordagem completamente nova acompanhar pesquisadores norte-americanos, cuja memória pode ser descrito com movimentos mecânicos com tensões elétricas, ao invés de diretamente sobre os dados.Tais processos eletro-mecânico pode ser usado especialmente no nano-robótica, os pesquisadores relatam na revista "Nano Letters".

"Este switch primeira resistência forma piezoelétrica modulada é baseada em nanofios de óxido de zinco", disse Zhong Lin Wang da Georgia Institute of Technology em Atlanta. Apenas ligeira curvaturas rico com esse material para produzir correntes elétricas. Para o primeiro protótipo de um tal de armazenamento de dados pode crescer Wang e seus colegas agora em um processo de plasma, um nanofio de óxido de zinco fina entre dois contatos de ouro. Depositados em um substrato de plástico flexível de polietileno poderia produzir movimentos de flexão do efeito piezoelétrico, pulsos de voltagem de cerca de cinco volts. Estes pulsos efetivamente alterados permanentemente na interface entre o ouro eo óxido de zinco, a resistência elétrica. Valores de resistência pequenas e grandes formaram a base para um armazenamento de dados binários. Para ler os dados gerados foram tão somente necessária para medir o fluxo de corrente nos módulos.

Com outras abordagens para a memória não-volátil, não a capacidade de armazenamento do módulo piezo competir, no entanto. Mas a força dessa tecnologia é completamente nova para ser combinado com nano eletromecânicos módulos, conhecido como NEMS. A conversão direta do movimento em dados armazenados pode levar a novas interfaces homem-máquina ou como sensores e atuadores inteligentes em nano-robótica.